Ｇａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法

摘要

優れた導電性を有する領域をＧａ２Ｏ３系単結晶体中に形成することのできる、イオン注入法を用いたＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法を提供する。イオン注入法により、Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１にドナー不純物としてＩＶ族元素を導入し、Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１中に、ＩＶ族元素を注入していない領域よりもＩＶ族元素の濃度の高いドナー不純物注入領域３を形成する工程と、８００℃以上のアニール処理により、ドナー不純物注入領域３中のＩＶ族元素を活性化させ、高ドナー濃度領域を形成する工程と、を含む方法により、Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１のドナー濃度を制御する。