電力用半導体素子のゲート駆動回路、および電力用半導体素子の駆動方法

摘要

出力が電力用半導体素子（１）のゲート端子（５０）に接続され、電力用半導体素子（１）のゲート電流を制限するゲート電流制限回路（７）を備えた電力用半導体素子のゲート駆動回路において、制御信号で制御される第一の電圧源（１３）をゲート電流制限回路（７）の入力として電力用半導体素子（１）をオンさせ、電力用半導体素子（１）がオンした後の所定のタイミングで、電力用半導体素子（１）のゲート端子（５０）における電圧が、第一の電圧源の電圧よりも低い電圧となるよう切り替える構成とした。