| 摘要 |
<p>半導体装置の製造方法は、基板（１）上に、第１及び第２の柱状半導体（２、３）を互いに同じ高さにかつ同時に形成する柱状半導体形成工程と、第１の柱状半導体（２）の底部領域にドナー又はアクセプタ不純物をドープして第１の半導体層（５）を形成するとともに、第１の半導体層と第２の柱状半導体（３）とを互いに接続する柱状半導体底部接続工程と、第１の柱状半導体の上部領域にドナー又はアクセプタ不純物をドープして上部半導体領域（１１）を形成し、当該上部半導体領域を有する回路素子を形成する回路素子形成工程と、第２の柱状半導体内に第１の導体層（１３）を形成する導体層形成工程と、第１及び第２の柱状半導体にそれぞれ接続される第１及び第２のコンタクトホール（１６ａ、１６ｂ）を形成するコンタクトホール形成工程と、第１及び第２のコンタクトホールを介して上部半導体領域及び第１の導体層と接続される配線金属層を形成する配線金属層形成工程と、を有する。</p> |
