发明名称 Cu−Te合金系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
摘要 <p>Te:40〜90at%、残部不可避的不純物とCuからなるCu−Te合金系焼結体スパッタリングターゲットであって、該ターゲットに存在するCu、Te又はこれらの金属間化合物からなる偏析部の最大径が20μm以下であることを特徴とするCu−Te合金系焼結体スパッタリングターゲット。Cu−Te合金系焼結体スパッタリングターゲットに使用する原料粉末の合成条件の改良と粉砕方法を制御することにより、ターゲットの組成と組織の均一化を図り、同時に抗折力を高めることで、スパッタ中の割れを効果的に防止して、その品質を改善し、均質な抵抗変化記録層を形成できるCu−Te合金系焼結体スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。【選択図】図1</p>
申请公布号 JPWO2013035695(A1) 申请公布日期 2015.03.23
申请号 JP20130532601 申请日期 2012.09.04
申请人 发明人
分类号 C23C14/34;G11B7/243;G11B7/26 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项
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