| 摘要 |
本発明は、非晶質ゲルマニウム光電変換層（５３）を含む薄膜光電変換装置に関する。本発明の薄膜光電変換装置は、ｐ型半導体層（５１）とｎ型半導体層（５４）の間に、実質的に真性であり、実質的にシリコン原子を含まない非晶質ゲルマニウム光電変換層（５３）を備える、非晶質ゲルマニウム光電変換ユニット（５）を含む。一実施形態にかかる本発明の薄膜光電変換装置では、非晶質ゲルマニウム光電変換ユニット（５）よりも光入射側に、結晶質シリコン光電変換層（４３）を有する結晶質シリコン光電変換ユニット（４）が配置されている。一実施形態において、非晶質ゲルマニウム光電変換ユニット（５）の波長９００ｎｍにおける量子効率は３０％以上であることが好ましい。 |
