二次元画像検出器及びその製造方法

摘要

バンプ電極２７の配列されている方向における画素電極２５の径Ｄがバンプ電極２７の径Ｂよりも相対的に小さく形成されている。したがって、画素電極間隔ｄが拡がり、バンプ電極２７が隣接する画素電極２５に接触するまでのズレの許容度を大きくすることができる。したがって、バンプ電極２７の位置ズレに起因して画素欠陥が生じることを防止できる。