| 摘要 |
高濃度のアンチモンがドープされてなるｎ型半導体基板（ｎ型カソード層（１））の上面に、ｎ-型ドリフト層（２）となるｎ型のエピタキシャル層（１０）が形成されている。ｎ-型ドリフト層（２）の表面には、ｐ型アノード層（３）が形成されている。ｎ型カソード層（１）の下面には、ｎ型カソード層（１）の不純物濃度と同程度またはｎ型カソード層（１）の不純物濃度以上の不純物濃度でｎ型コンタクト層（４）が形成されている。このｎ型コンタクト層（４）に接するようにカソード電極（６）が形成されている。このｎ型コンタクト層（４）には、リンをドープするとともに、５００℃以下の低温熱処理によって完全には再結晶化させずに格子欠陥を残留させている。これにより、ダイオードまたはＭＯＳＦＥＴなどにおいて、ウエハーの割れを最小限にし、かつウエハー裏面の半導体層と金属電極との良好なオーミックコンタクトを確保することができる。 |
