| 摘要 |
高品質のＧａ2Ｏ3系半導体素子を提供する。一実施の形態として、ｎ型&bgr;−Ｇａ2Ｏ3基板２と、ｎ型&bgr;−Ｇａ2Ｏ3基板２上に形成された&bgr;−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３と、&bgr;−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３上に形成されたソース電極２２ａ、２２ｂと、ｎ型&bgr;−Ｇａ2Ｏ3基板２の&bgr;−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３と反対側の面上に形成されたドレイン電極２５と、&bgr;−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３中に形成され、ソース電極２２ａ、２２ｂが接続されたｎ型のコンタクト領域２３ａ、２３ｂと、&bgr;−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３上にゲート絶縁膜２６を介して形成されたゲート電極２１と、を含むＧａ2Ｏ3系半導体素子２０を提供する。 |
