发光二极体及其制造方法

主权项

一种发光二极体，包含：一基材；一第一型半导体层，形成于该基材上；一奈米柱层，形成于该第一型半导体层上，该奈米柱层包含复数奈米柱，每一奈米柱包含一量子井结构以及一第二型半导体层，该量子井结构接触该第一型半导体层，该第二型半导体层形成于该量子井结构上；以及一透明平坦层，沟填于该些奈米柱间，并使该第二型半导体层表面露出；其中该量子井结构具有一宽度W以及一高度H，且该宽度W及该高度H满足以下数学式(I)：0.5 H≦W<10 H 数学式(I)。