发明名称 积体化交流式发光二极体模组之方法
摘要
申请公布号 TWI478358 申请公布日期 2015.03.21
申请号 TW100127680 申请日期 2011.08.04
申请人 国立中央大学 发明人 綦振瀛;李庚谚;林伟圣
分类号 H01L29/872;H01L33/00;H01L27/118 主分类号 H01L29/872
代理机构 代理人 黄志扬 台北市中山区长安东路1段23号10楼之1
主权项 一种积体化交流式发光二极体模组之方法,包含有以下步骤:  提供一基板与一承载于该基板之接面层,该接面层表面定义有至少一第一成长区域、至少一第二成长区域及至少一位于该第一成长区域与该第二成长区域之间的非成长区域;  分别在该第一成长区域与该第二成长区域形成一萧基二极体以及一发光二极体,该萧基二极体与该发光二极体表面分别定义有一第一电性连接区域与一第二电性连接区域;  移除该接面层之该非成长区域至露出该基板,令该接面层之第一成长区域与该第二成长区域彼此相距一隔离间距;  覆盖一露出该第一电性连接区域及该第二电性连接区域的钝化层在该萧基二极体、该发光二极体及该基板对应该非成长区域之表面;以及  于该钝化层、该第一电性连接区域与该第二电性连接区域上形成一金属层,使该萧基二极体得以透过该金属层与该发光二极体电性连接。
地址 桃园市中坜区中大路300号