| 发明名称 | 非挥发性记忆体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI478325 | 申请公布日期 | 2015.03.21 |
| 申请号 | TW099120017 | 申请日期 | 2010.06.18 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 黄志仁;陈建宏 |
| 分类号 | H01L27/115;H01L21/8247 | 主分类号 | H01L27/115 |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
| 主权项 | 一种非挥发性记忆体元件，包括：一基底，该基底上定义有一记忆单元区，该基底包含一表面；一第一堆叠闸结构，设置于该基底之该记忆单元区上，该第一堆叠闸结构由下而上依序包括：一穿隧介电层；一电荷储存层；一闸间介电层，其中该闸间介电层构成一U型的剖面结构并且该闸间介电层完全位在该表面之上；以及一第一金属闸极；以及一源极区与一汲极区，分别设置于该第一堆叠闸结构之相对两侧之该基底中，其中该源极区和该汲极区位在该表面之下。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||