发明名称 荷电粒子束描画装置及荷电粒子束描画方法
摘要
申请公布号 TWI478213 申请公布日期 2015.03.21
申请号 TW101142595 申请日期 2012.11.15
申请人 纽富来科技股份有限公司 发明人 东矢高尚;小笠原宗博
分类号 H01L21/027;G03F1/20;H01L21/67 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种荷电粒子束描画装置,其特征为:具备:可以载置试料之工作台、及射出照射试料之荷电粒子束之照射部、及具有第1开口部,形成前述荷电粒子束之孔隙,及配置于前述工作台与前述孔隙之间的物镜、前述孔隙系具有第1构件与被贴合于前述第1构件的第2构件之层积构造,前述第2构件的前述第1开口部端部的位置,系对于前述第1构件的前述第1开口部端部的位置后退0.5um以上、5um以下;由前述第2构件的前述第1开口部端部突出的前述第1构件的前述第1开口部端部,实质上系具有一定之厚度。
地址 日本
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