藉由形成硬遮罩层堆叠及采用基于电浆的遮罩图案化制程以形成通道半导体合金

主权项

一种形成半导体装置的方法，包含：在半导体装置的第一主动区域及第二主动区域上形成第一硬遮罩层，其中，该第一及第二主动区域被隔离区域隔开；在该第一硬遮罩层及该隔离区域上形成第二硬遮罩层；该第二主动区域和该隔离区域至少一部分之上形成蚀刻遮罩；该蚀刻遮罩在适当位置，实施一个或多个电浆辅助蚀刻制程，以从该第一主动区域移除该第一硬遮罩层及该第二硬遮罩层；在该第一主动区域形成一层半导体合金，并使用该第二主动区域上的该第一硬遮罩层及该第二硬遮罩层的至少一者作为生长遮罩；暴露该第二主动区域；以及在该层半导体合金上形成第一电晶体的第一闸极电极结构，并在该第二主动区域上形成第二电晶体的第二闸极电极结构，该第一及第二闸极电极结构包含含金属闸极电极材料及闸极绝缘层，该闸极绝缘层包含高介电系数介电材料。