| 发明名称 |
光阻剂及其使用方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI477911 |
申请公布日期 |
2015.03.21 |
| 申请号 |
TW099143921 |
申请日期 |
2010.12.15 |
| 申请人 |
罗门哈斯电子材料有限公司 |
发明人 |
保勒尔斯 吉哈德 |
| 分类号 |
G03F7/039;G03F7/20;H01L21/265;C08L101/06 |
主分类号 |
G03F7/039 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种提供经离子植入之半导体基板的方法，包含：提供其上涂覆有化学放大型正作用光阻剂组成物之浮雕影像之半导体基板；其中该光阻剂包含1)树脂、2)光活性成分、3)具有比该树脂1)至少低约5℃之Tg的树脂以及4)包括侧链羟基(C2-20)烷基部份及/或侧链(C1-20)烷氧基部份的树脂；以及施加离子至该基板。 |
| 地址 |
美国 |
