发明名称 薄膜电晶体的制作方法
摘要
申请公布号 TWI478248 申请公布日期 2015.03.21
申请号 TW101134003 申请日期 2012.09.17
申请人 薛英家 发明人 薛英家
分类号 H01L21/336;H01L29/786 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人 高玉骏 台北市松山区南京东路3段248号7楼;杨祺雄 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种薄膜电晶体的制作方法,包含:(a)于一基板依序以半导体材料、介电材料、导体材料形成一第一层体、一第二层体,及一第三层体;(b)用一第一灰阶光罩于该第三层体上形成一由光阻构成的第一图案层,该第一图案层具有一第一中心部、一自该第一中心部外围向外延伸且厚度小于该第一中心部厚度的第一翼部,及一让该第三层体预定表面区域裸露的第一镂空部;(c)往该基板的方向蚀刻移除该第一、二、三层体对应于该第一镂空部的结构,而定义将形成至少一电晶体的一半导体层、一介电层,及一导电层;(d)藉该第一图案层的遮覆自该第一图案层的第一中心部和第一翼部向该基板方向剥除直到对应该第一翼部的导电层裸露,再继续蚀刻移除对应该第一翼部的导电层结构,并于对应该第一翼部的半导体层进行掺杂而形成一第一型掺杂区;及(e)移除剩余的第一图案层结构,得到一具有由对应该第一中心部的导电层、介电层和半导体层,及该第一型掺杂区的第一型薄膜电晶体。
地址 新竹县新丰乡福兴村11股71之3号