| 发明名称 | 藉由固相扩散形成超浅掺杂区域之方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI478215 | 申请公布日期 | 2015.03.21 |
| 申请号 | TW101111477 | 申请日期 | 2012.03.30 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 克拉克 罗伯特Ｄ |
| 分类号 | H01L21/22;H01L21/225 | 主分类号 | H01L21/22 |
| 代理机构 | 代理人 | 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼 | |
| 主权项 | 一种在基板中形成超浅掺杂物区域之方法，该方法包括：沉积一掺杂物层与该基板的一凹陷特征部直接接触，该掺杂物层包括氧化物、氮化物或氮氧化物，其中该掺杂物层包含一掺杂物，该掺杂物系选自于铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、铊(Tl)、氮(N)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)；图案化该掺杂物层；及藉由热处理使该掺杂物从该经图案化的掺杂物层扩散至该基板的该凹陷特征部中，在该基板中形成该超浅掺杂物区域。 | ||
| 地址 | 日本 | ||