半导体元件及于基板上之金属闸结构之制造方法

主权项

一种半导体元件，包括：一基板，包括一第一主动区、一第二主动区以及插入于该第一主动区与该第二主动区间之具有一第一宽度之一隔离区；一P金属闸电极，位于该第一主动区之上且延伸于该隔离区之该第一宽度之上至少约2/3；以及一N金属闸电极，位于该第二主动区之上并延伸于该第一宽度之上不超过1/3，该N金属闸电极电性连结于位于该隔离区之上之该P金属闸电极。