| 发明名称 |
半导体异质结构二极体以及包含其之组件 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI478357 |
申请公布日期 |
2015.03.21 |
| 申请号 |
TW098141930 |
申请日期 |
2009.12.08 |
| 申请人 |
全斯法姆公司 |
发明人 |
吴毅锋;米雪尤美希;帕立克波利米特;储荣明;班亚可夫伊兰;申立坤 |
| 分类号 |
H01L29/872;H01L27/04 |
主分类号 |
H01L29/872 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种二极体，包括：一第一三族氮化物材料层；一第二三族氮化物材料层，其位于该第一三族氮化物材料层上，其中因为介于该第一三族氮化物材料层和该第二三族氮化物材料层间的一成分差异，一二维电子气体通道位在该第一三族氮化物材料层；及二端点，其中：一第一端点是一阳极，其包含以该第二三族氮化物材料层形成的一萧特基接触；及一第二端点，其系与该二维电子气体通道欧姆接触之一单一阴极。
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| 地址 |
美国 |
