发明名称 | 薄膜电晶体 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI478355 | 申请公布日期 | 2015.03.21 |
申请号 | TW101129350 | 申请日期 | 2012.08.14 |
申请人 | 深超光电(深圳)有限公司 | 发明人 | 许民庆;吴钊鹏;黎昔耀;曹岩 |
分类号 | H01L29/786 | 主分类号 | H01L29/786 |
代理机构 | 代理人 | 陈俊铭 台北市内湖区基湖路32号6楼 | |
主权项 | 一种薄膜电晶体,包括:一基板;一闸极,设置于该基板上;一闸极绝缘层,覆盖该闸极及该基板;一主动层,设置于该闸极绝缘层上,并位于该闸极上方;一源极,设置于该主动层上;一汲极,设置于该主动层上,并与该源极相对设置;其中,该闸极绝缘层包括设置于闸极及该基板上的第一闸极绝缘层、在该第一闸极绝缘层之上的第二闸极绝缘层、在该第一闸极绝缘层和该第二闸极绝缘层之间之第三闸极绝缘层,且该第一闸极绝缘层的膜质比该第二闸极绝缘层的膜质致密,该第三闸极绝缘层的膜质要比该第二闸极绝缘层的膜质疏松。 | ||
地址 | 中国 |