发明名称 薄膜电晶体
摘要
申请公布号 TWI478355 申请公布日期 2015.03.21
申请号 TW101129350 申请日期 2012.08.14
申请人 深超光电(深圳)有限公司 发明人 许民庆;吴钊鹏;黎昔耀;曹岩
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 陈俊铭 台北市内湖区基湖路32号6楼
主权项 一种薄膜电晶体,包括:一基板;一闸极,设置于该基板上;一闸极绝缘层,覆盖该闸极及该基板;一主动层,设置于该闸极绝缘层上,并位于该闸极上方;一源极,设置于该主动层上;一汲极,设置于该主动层上,并与该源极相对设置;其中,该闸极绝缘层包括设置于闸极及该基板上的第一闸极绝缘层、在该第一闸极绝缘层之上的第二闸极绝缘层、在该第一闸极绝缘层和该第二闸极绝缘层之间之第三闸极绝缘层,且该第一闸极绝缘层的膜质比该第二闸极绝缘层的膜质致密,该第三闸极绝缘层的膜质要比该第二闸极绝缘层的膜质疏松。
地址 中国