发明名称 |
包含线内化学临界尺寸缩窄之微影-冻结-微影-蚀刻双重图案形成 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI478211 |
申请公布日期 |
2015.03.21 |
申请号 |
TW100141630 |
申请日期 |
2011.11.15 |
申请人 |
东京威力科创股份有限公司 |
发明人 |
旦恩 雪诺W;海哲 大卫 |
分类号 |
H01L21/027;G03F7/20;G03F7/26 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
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代理人 |
周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼 |
主权项 |
一种双重图案化基板之方法,包含:形成第一辐射敏感材料层;使用第一微影制程在该第一辐射敏感材料层中准备第一图案,该第一图案之特征在于第一临界尺寸(CD);在准备该第一图案之后,执行第一CD缩窄制程以将该第一CD缩减为第一缩减CD,该第一CD缩窄制程包含施加含酸之第一处理化合物到该第一图案之表面上;烘烤该基板以使该酸从该表面扩散进入该第一图案之表面区域而改变该第一图案之该表面区域的溶解度达第一预定深度,使得经改变之该表面区域变得可溶于第一显影溶液;及藉由在该基板上施予该第一显影溶液而将该第一显影溶液施加到经改变之该表面区域以移除该第一图案之该表面区域达该第一预定深度;使用冻结制程冻结该第一辐射敏感材料层中之具有该第一缩减CD之该第一图案;在该第一辐射敏感材料层中之具有该第一缩减CD之该第一图案上形成第二辐射敏感材料层;使用第二微影制程在该第二辐射敏感材料层中准备第二图案,该第二图案之特征在于第二CD;以及在准备该第二图案之后,执行第二CD缩窄制程以将该第二CD缩减为第二缩减CD,该第二CD缩窄制程包含施加含酸之第二处理化合物到该第二图案之表面上;烘烤该基板以使该酸从该表面扩散进入该第二图案之表面区域而改变该第二图案之该表面区域的溶解度达第二预定深度,使得经改变之该表面区域变得可溶于第二显影溶液;及藉由在该基板上施予该第二显影溶液而将该第二显影溶液施加到经改变之该表面区域以移除该第二图案之该表面区域达该第二预定深度。
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地址 |
日本 |