半导体装置及其制造方法

主权项

一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；连接到该氧化物半导体层的源极电极和汲极电极；闸极绝缘膜；以及邻近该氧化物半导体层的闸极电极，该闸极绝缘膜位在该闸极电极与该氧化物半导体层之间，其中，该氧化物半导体层包括奈米晶体，该奈米晶体尺寸大于或等于1 nm且小于或等于20 nm，且其中，该氧化物半导体层的氢浓度为小于或等于5×1019/cm3。