发明名称 半导体装置之制造方法及接合装置
摘要
申请公布号 TWI478221 申请公布日期 2015.03.21
申请号 TW101129615 申请日期 2012.08.15
申请人 东芝股份有限公司 发明人 井本孝志;石田胜广;蒋田英雄;渡边昭吾;佐野雄一;谷本亮;安藤善康;武部直人;岩本正次;竹本康男
分类号 H01L21/28;H01L23/48 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体装置之制造方法,其系藉由从前端被供给金制导线之毛细管、及可切换夹持上述导线之闭合状态与松开上述导线之开放状态之箝位器,以上述导线连接形成于基板之第一面上的基板侧电极垫、与形成于搭载于上述基板之第一面上之晶片上的晶片侧电极垫,且于上述基板侧电极垫上藉由无电解镀敷而形成镀镍,于上述镀镍上藉由无电解镀敷而形成镀钯,于成为上述镀钯上之最表层藉由无电解镀敷而形成镀金,使上述毛细管靠近上述晶片,将上述导线之一端连接于上述晶片侧电极垫,于上述箝位器之开放状态下,使上述毛细管向上述晶片上方移动,使上述毛细管向朝向上述基板侧电极垫之第1方向移动,使上述毛细管靠近上述基板侧电极垫,将上述导线一次接合于上述基板侧电极垫,使上述毛细管移动,在比上述一次接合位置更向上述第1方向移动之位置将上述导线二次接合于上述基板侧电极垫,使上述毛细管向上述基板上方移动,将上述箝位器切换成闭合状态,使上述毛细管向上述基板之更上方移动; 上述毛细管之向上述第1方向之移动系进行至超过上述一次接合位置之正上方的位置;上述一次接合系一面使上述毛细管向与上述第1方向相反之第2方向移动、一面靠近上述基板侧电极垫而进行。
地址 日本