| 主权项 |
一种半导体装置，包括：闸极电极；闸极绝缘膜，在该闸极电极之上；包括铟之第一非单晶氧化物半导体层，在该闸极电极之上且该闸极绝缘膜系插置于其间；包括铟之第二非单晶氧化物半导体层，在该第一非单晶氧化物半导体层之上，该第二非单晶氧化物半导体层具有低于该第一非单晶氧化物半导体层之导电率的导电率；源极电极，在该第二非单晶氧化物半导体层之上，且与该第二非单晶氧化物半导体层电接触；汲极电极，在该第二非单晶氧化物半导体层之上，且与该第二非单晶氧化物半导体层电接触；以及包括矽之绝缘膜，在该第二非单晶氧化物半导体层、该源极电极和该汲极电极之上，其中，该第二非单晶氧化物半导体层之上表面包含介于该源极电极与该汲极电极之间的凹陷，使得该第二非单晶氧化物半导体层之介于该源极电极与该汲极电极之间的厚度系小于该第二非单晶氧化物半导体层之在该源极电极和该汲极电极之下的厚度，并且其中，该绝缘膜系与该第二非单晶氧化物半导体层之介于该源极电极与该汲极电极之间的该上表面相接触。 |
