| 发明名称 | 电浆蚀刻方法、电浆蚀刻装置、控制程式及电脑记忆媒体 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI478231 | 申请公布日期 | 2015.03.21 |
| 申请号 | TW097150432 | 申请日期 | 2008.12.24 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 田中谕志;大矢欣伸;山崎文生 |
| 分类号 | H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 代理人 | 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 | |
| 主权项 | 一种电浆蚀刻方法，系藉由蚀刻制程在被形成于基板上之绝缘膜层，形成深度对开口宽度之比大于20之穴形状，该电浆蚀刻方法之特征为：至少含有C4F6气体和C6F6气体，将C4F6气体对C6F6气体之流量比(C4F6气体流量/C6F6气体流量)为2~11之处理气体予以电浆化，而在上述绝缘膜层形成上述穴形状，将形成在上述基板上之氧化矽层，以被形成在该氧化矽层之非晶碳层当作遮罩而施予蚀刻。 | ||
| 地址 | 日本 | ||