| 主权项 |
一种非挥发性记忆体制造方法，包含以下步骤：(A)于一矽基板上间隔地形成多个间断式的隔离层，且根据每一隔离层与相邻的隔离层分别界定一汲区域，其中每一条隔离层具有切断该条隔离层的多个空隙，该等空隙在垂直于该等隔离层的方向上形成一共同的源区域，该等汲区域藉由该源区域互相连通；(B)依序于该矽基板上附着一穿隧介电层、一电荷捕捉层、一阻电层，及一闸层；(C)藉由光阻遮罩与蚀刻的图案化制程形成堆叠而成的多个闸极结构；及(D)于该矽基板上的每一汲区域形成一汲极接触窗，且于该矽基板上的该源区域形成至少一源极接触窗。 |
