| 发明名称 |
藉由使用裂痕抑制材料层而提升半导体装置之金属系统中的低Ｋ介电体的结构整体性 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI478283 |
申请公布日期 |
2015.03.21 |
| 申请号 |
TW098128958 |
申请日期 |
2009.08.28 |
| 申请人 |
格罗方德美国公司 |
发明人 |
薇妮尔 汤马士;弗贝葛 凯依;费思特 法兰克 |
| 分类号 |
H01L21/768;H01L21/304 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种制造半导体装置之方法，包括：于该半导体装置之金属层之低介电常数介电材料上形成压缩罩盖层；于该罩盖层和该低介电常数介电材料中形成开口；以金属填充该开口；于该低介电常数介电材料中诱发压缩应力；以及藉由实施平坦化制程来移除至少一部份该压缩罩盖层和该金属之过剩材料；其中，诱发该压缩应力系包括当实施该平坦化制程时使得该基板变形。
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| 地址 |
美国 |
