发明名称 基板处理装置及半导体装置之制造方法
摘要
申请公布号 TWI478262 申请公布日期 2015.03.21
申请号 TW098128785 申请日期 2009.08.27
申请人 日立国际电气股份有限公司 发明人 中田高行;松田智行;森田慎也
分类号 H01L21/67 主分类号 H01L21/67
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;王彦评 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 一种基板处理装置,其具有:处理基板的处理室;保持该基板的基板保持具;盖体,系一面使该基板保持具出入该处理室一面开闭该处理室,且具有贯穿该处理室的内外之第一贯穿孔;基板保持具载置部,其载置该基板保持具的至少一部分是由金属所形成;旋转机构,系设置于该盖体之该处理室侧的相反侧,并使该基板保持具载置部旋转;转轴,系贯穿该盖体的该第一贯穿孔,并和该基板保持具载置部及该旋转机构连接;第一气体喷出口,系由构成该第一贯穿孔之该盖体的内周面和该转轴所构成;第一气体滞留部,系由该旋转机构、该盖体以及该转轴所包围而构成,并经由该第一气体喷出口而和该处理室连通;第二气体喷出口,系至少由第二贯穿孔所构成,该第二贯穿孔系贯穿该基板保持具载置部的该转轴侧和该基板保持具载置侧而设置;第二气体滞留部,系设置于该转轴,并经由该第二气体喷出口而和该处理室连通;以及流通口,系设置于该转轴,并使该第一气体滞留部和 该第二气体滞留部连通;该第二气体滞留部及该第二气体喷出口系构成为:该第二气体喷出口的容积相对于该第二气体滞留部的容积的比例系与该第一气体喷出口及该流通口的容积相对于该第一气体滞留部的容积的比例为同等以上的大小。
地址 日本