| 主权项 |
一种光电转换装置的制造方法，包含：在单晶半导体基板上形成第一杂质半导体层；对该单晶半导体基板照射离子以在该单晶半导体基板中形成脆化层；在该第一杂质半导体层上形成第一电极；在该第一电极上形成绝缘层；将该绝缘层和支撑基板互相贴紧来将该单晶半导体基板和该支撑基板贴在一起，然后，沿着该脆化层分离该单晶半导体基板，从而在该支撑基板上提供包括该绝缘层、该第一电极、该第一杂质半导体层及第一单晶半导体层的叠层体；在该第一单晶半导体层上形成第一半导体层；在与该第一半导体层不同的条件下在该第一半导体层上形成第二半导体层；藉由固相成长来提高该第一半导体层及该第二半导体层的结晶度，以形成第二单晶半导体层；在该第二单晶半导体层上形成具有与该第一杂质半导体层相反的导电型的第二杂质半导体层；以及在该第二杂质半导体层上形成第二电极。 |
