用于光伏打钝化的含氧前驱物

主权项

一种于腔体中将至少一钝化层沉积于一光伏打电池上之方法，其包含以下步骤：提供具有背面及正面的光伏打电池；提供第一矽前驱物；提供氧来源；将具有介于5至70nm的厚度的氧化矽层沉积于该光伏打电池的至少一表面上；提供第二矽前驱物；提供氮来源；及将具有介于20至200nm的厚度的氮化矽层沉积于该氧化矽层上；其中具有介于25至600nm的厚度的该至少一钝化层包含至少一双层，该至少一双层包含该氧化矽层和该氮化矽层，其中该第一矽前驱物系选自Si(OR1)xR2y类；其中x+y=4，y≠4；R1系独立地选自由以下所组成的群组：C1-C8线性烷基，其中该配位子系为饱和或不饱和；C1-C8分支烷基，其中该配位子可为饱和或不饱和；C1-C8环状烷基，其中该配位子可为饱和、不饱和或芳族；及R2独立地选自由以下所组成的群组：氢；
C1-C8线性烷基，其中该配位子系为饱和或不饱和；C1-C8分支烷基，其中该配位子可为饱和或不饱和；C1-C8环状烷基，其中该配位子可为饱和、不饱和或芳族；及NR33；其中R3可独立地选自由以下所组成的群组：氢；及线性、分支、环状、饱和或不饱和烷基；及该第二矽前驱物系选自矽烷、SiRxHy类及其组合所组成的群组；其中x+y=4，y≠4，而且R系独立地选自由以下所组成的群组：C1-C8线性烷基，其中该配位子系为饱和或不饱和；C1-C8分支烷基，其中该配位子可为饱和或不饱和；C1-C8环状烷基，其中该配位子可为饱和、不饱和或芳族；及NR*3；其中R*可独立地选自由以下所组成的群组：氢；及线性、分支、环状、饱和或不饱和烷基。