| 主权项 |
一种反熔丝记忆体，该反熔丝记忆体积成于一积体电路中且包括：多个反熔丝元件，其中至少一个反熔丝元件建造在下列线的交叉点上：多个主动区线掺有第一种类型的掺杂；多个多晶矽线掺有第二类的掺杂，且垂直于该主动区线，其两侧无间隔(spacer)之形成；该主动区线和该多晶矽线之间所制造一层薄氧化层；该反熔丝记忆体的周边元件与该积体电路其他部分的核心逻辑或I/O元件相同；和该反熔丝记忆体以第一个电源电压作用于该主动区线上而第二个电源电压作用于该多晶矽线上，用来击破交叉点上的薄氧化层时，如此配置，该反熔丝记忆体为可编程的。 |
