发明名称 | 场发射电子源的制备方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI478208 | 申请公布日期 | 2015.03.21 |
申请号 | TW101138980 | 申请日期 | 2012.10.22 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 郭彩林;唐洁;柳鹏;范守善 |
分类号 | H01J9/02;H01J1/304 | 主分类号 | H01J9/02 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种场发射电子源的制备方法,包括以下步骤:提供一奈米碳管线状结构;在所述奈米碳管线状结构的表面包覆一绝缘层;在所述绝缘层的表面间隔设置复数导电环,且每一导电环环绕所述绝缘层设置,所述导电环两端具有相对的第一环面及第二环面,形成一场发射电子源预制体;切割所述场发射电子源预制体,使所述奈米碳管线状结构从切割形成的断口处暴露出来,形成复数场发射电子源,每一场发射电子源的至少一端包覆有所述导电环,且所述奈米碳管线状结构的末端,所述绝缘层的断面,以及所述导电环的一环面位于同一平面。 | ||
地址 | 新北市土城区自由街2号 |