发明名称 场发射电子源的制备方法
摘要
申请公布号 TWI478208 申请公布日期 2015.03.21
申请号 TW101138980 申请日期 2012.10.22
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 郭彩林;唐洁;柳鹏;范守善
分类号 H01J9/02;H01J1/304 主分类号 H01J9/02
代理机构 代理人
主权项 一种场发射电子源的制备方法,包括以下步骤:提供一奈米碳管线状结构;在所述奈米碳管线状结构的表面包覆一绝缘层;在所述绝缘层的表面间隔设置复数导电环,且每一导电环环绕所述绝缘层设置,所述导电环两端具有相对的第一环面及第二环面,形成一场发射电子源预制体;切割所述场发射电子源预制体,使所述奈米碳管线状结构从切割形成的断口处暴露出来,形成复数场发射电子源,每一场发射电子源的至少一端包覆有所述导电环,且所述奈米碳管线状结构的末端,所述绝缘层的断面,以及所述导电环的一环面位于同一平面。
地址 新北市土城区自由街2号