发明名称 СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ДИОДА
摘要 1. Способ изготовления светодиода, содержащий этапы:(i) нанесения полупроводниковой пластины, содержащей множество слоев, содержащих светодиодный слой;(ii) нанесения защитного слоя на полупроводниковую пластину;(iii) выполнения этапов обработки пластины для формирования светодиода, причем защитный слой предназначен для защиты полупроводниковой пластины во время, по крайней мере, одного из этапов обработки.2. Способ по п.1, где этапы обработки включают в себя нанесение маскирующего покрытия поверх защитного слоя.3. Способ по п.1, в котором этап нанесения маскирующего покрытия содержит нанесение маскирующего покрытия на защитный слой с последующим протравливанием участков маскирующего слоя для формирования маскирующего покрытия.4. Способ по п.3, в котором этап нанесения маскирующего слоя дополнительно включает в себя слой металла поверх указанного маскирующего слоя и отжиг слоя металла для формирования островков металла, определяющих протравливаемые участки между ними.5. Способ по любому из пп.2-4, в котором маскирующее покрытие определяет протравливаемую поверхность, и этапы обработки включают протравливание полупроводниковой пластины под протравливаемой поверхностью.6. Способ по любому из пп.1-4, в котором некоторые из этапов обработки формируют наностолбики в пластине с промежутками между ними, и этапы включают в себя заполнение промежутков материалом и протравливание материала.7. Способ по любому из пп.2-4, в котором этапы обработки включают в себя удаление маскирующего покрытия.8. Способ по любому из пп.1-4, дополнительно содержащий обработку протравленной полупроводниковой пластины кислотой.9. Способ по п.8, в
申请公布号 RU2013141185(A) 申请公布日期 2015.03.20
申请号 RU20130141185 申请日期 2012.02.08
申请人 СЕРЕН ФОТОНИКС ЛИМИТЕД 发明人 ВАН Тао
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
地址