发明名称 Super-Junction-Halbleiterbauelement
摘要 Es wird ein Super-Junction-Halbleiterbauelement Bereitgestellt. Das Super-Junction-Halbleiterbauelement enthält einen Zellenbereich und einen Sperrschichtabschlussbereich, die auf einem Substrat angeordnet sind, und einen zwischen dem Zellenbereich und dem Sperrschichtabschlussbereich angeordneten Übergangsbereich. Der Zellenbereich, der Sperrschichtabschlussbereich und der Übergangsbereich enthalten jeweils eine oder mehrere Elementarzellen, welche eine N-Typ-Säulenregion und eine P-Typ-Säulenregion unter einer Mehrzahl von N-Typ-Säulenregionen und P-Typ-Säulenregionen umfassen, die zwischen dem Zellenbereich und dem Sperrschichtabschlussbereich abwechselnd angeordnet sind.
申请公布号 DE102014112811(A1) 申请公布日期 2015.03.19
申请号 DE201410112811 申请日期 2014.09.05
申请人 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD. 发明人 JUN, KWANG YEON,;CHOI, CHANG YONG,;WOO, HYUK,;CHO, MOON SOO,;KWON, SOON TAK;KIM, DAE BYUNG,
分类号 H01L29/78;H01L29/06 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
地址