摘要 |
Es wird ein Super-Junction-Halbleiterbauelement Bereitgestellt. Das Super-Junction-Halbleiterbauelement enthält einen Zellenbereich und einen Sperrschichtabschlussbereich, die auf einem Substrat angeordnet sind, und einen zwischen dem Zellenbereich und dem Sperrschichtabschlussbereich angeordneten Übergangsbereich. Der Zellenbereich, der Sperrschichtabschlussbereich und der Übergangsbereich enthalten jeweils eine oder mehrere Elementarzellen, welche eine N-Typ-Säulenregion und eine P-Typ-Säulenregion unter einer Mehrzahl von N-Typ-Säulenregionen und P-Typ-Säulenregionen umfassen, die zwischen dem Zellenbereich und dem Sperrschichtabschlussbereich abwechselnd angeordnet sind. |
申请人 |
MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD. |
发明人 |
JUN, KWANG YEON,;CHOI, CHANG YONG,;WOO, HYUK,;CHO, MOON SOO,;KWON, SOON TAK;KIM, DAE BYUNG, |