发明名称 Halbleitervorrichtung
摘要 Ein Schaltungsmuster (2) ist an eine obere Oberfläche eines Keramiksubstrats (1) gebondet. Ein Kühlkörper (3) ist an eine untere Oberfläche des Keramiksubstrats (1) gebondet. Ein IGBT (4) und eine FWD (5) sind auf dem Schaltungsmuster (2) vorgesehen. Ein Beschichtungsfilm (16) überdeckt eine Verbindung zwischen dem Keramiksubstrat (1) und dem Schaltungsmuster (2) und eine Verbindung zwischen dem Keramiksubstrat (1) und dem Kühlkörper (3). Ein Formharz (17) kapselt das Keramiksubstrat (1), das Schaltungsmuster (2), den IGBT (4), die FWD (5), den Kühlkörper (3) und den Beschichtungsfilm (16), etc. Das Keramiksubstrat (1) hat eine höhere thermische Leitfähigkeit als der Beschichtungsfilm (16). Der Beschichtungsfilm (16) hat eine geringere Härte als das Formharz (17) und vermindert eine von dem Formharz (17) auf das Keramiksubstrat (1) ausgeübte Spannung. Das Schaltungsmuster (2) und der Kühlkörper (3) enthalten eine Nut (18), die mit dem Formharz (17) in Kontakt steht, ohne von dem Beschichtungsfilm (16) überdeckt zu sein.
申请公布号 DE112012006656(T5) 申请公布日期 2015.03.19
申请号 DE20121106656T 申请日期 2012.07.05
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 发明人 MIYAMOTO, NOBORU,;YOSHIMATSU, NAOKI,
分类号 H01L23/28;H01L23/29;H01L25/07;H01L25/18 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人
主权项
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