Verfahren zum selektiven Erzeugen von Verformung in einem Transistor durch eine Verspannungsgedächtnistechnik ohne Hinzufügung weiterer Lithographieschritte

摘要

Verfahren mit: Bilden von tiefen Drain- und Sourcegebieten eines ersten Transistors; Ausheizen des ersten Transistors und eines zweiten Transistors, um einen im Wesentlichen kristallinen Zustand in dem tiefen Draingebiet und dem tiefen Sourcegebiet des ersten Transistors zu erzeugen; Einführen einer Implantationssorte, die eine nicht-dotierende Sorte umfasst, in den zweiten Transistor, um Gitterschäden benachbart zu einem Kanalgebiet des zweiten Transistors zu erzeugen; Bilden einer Deckschicht über dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor nach dem Bilden der tiefen Drain- und Sourcegebiete des ersten Transistors; und Ausheizen des ersten und des zweiten Transistors in Anwesenheit der Deckschicht, um die Gitterschäden zu rekristallisieren und eine Verspannung in dem zweiten Transistor hervorzurufen.