BIPOLARTRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE MIT MESAABSCHNITTEN ZWISCHEN ZELLTRENCHSTRUKTUREN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG

摘要

Ein IGBT umfasst einen Mesaabschnitt (105), der sich zwischen zwei Zelltrenchstrukturen (510) von einer ersten Oberfläche (101) eines Halbleiterteiles (100) zu einem Schichtabschnitt (108) des Halbleiterteiles (100) erstreckt. Ein Sourcebereich (110), der elektrisch mit einer Emitterelektrode (310) verbunden ist, ist in dem Mesaabschnitt (105) gebildet. Ein dotierter Bereich (170), der von dem Sourcebereich (110) durch einen Bodybereich (115) eines komplementären Leitfähigkeitstyps getrennt ist, umfasst einen ersten Teil (171) mit einer ersten mittleren Nettofremdstoffkonzentration und einen zweiten Teil (172) mit einer zweiten mittleren Nettofremdstoffkonzentration, die wenigstens zehn-fach die erste mittlere Nettofremdstoffkonzentration überschreitet. In dem Mesaabschnitt (105) erstreckt sich der erste Teil (171) von dem Bodybereich (115) zu dem Schichtabschnitt (108). Die zweiten Teile (172) des dotierten Bereiches (170) engen virtuell die Mesaabschnitte (150) in einem normalen Einschaltzustand des IGBT ein.