| 摘要 |
Ａｌ−Ｎｄ等からなる陰極２が基板１上に形成されると共に、陰極２の主面上にｎ型Ｓｉ等からなる電子輸送層３、グラフェン等からなる量子ドット配列層４、量子ドット層５、ｐ型Ｓｉ等からなる正孔輸送層６、及びＩＴＯ等からなる陽極７が順次形成され、かつ陽極７の少なくとも一部が表面露出するように該陽極７上に取出電極８ａ、８ｂが形成されている。量子ドット層５は、量子ドットがＳｉクラスター粒子で形成されると共に、該Ｓｉクラスター粒子が三次元的に周期配列されてなり、Ｓｉクラスター粒子は、平均粒径が３ｎｍ以下であり、Ｓｉクラスター粒子同士の粒子間距離が１ｎｍ以下である。これにより吸収係数が良好でキャリア輸送性に優れ、エネルギー変換効率の良好な高効率の太陽電池とその製造方法を実現する。 |
