| 摘要 |
<p>対向する第１面と第２面とを備える半導体基板を形成するステップと、基板厚さにわたる第１ドーパント元素の注入と、第１活性化温度での注入された第１ドーパント元素の熱活性化と、によってドープされた第１半導体領域を、基板の第１面に形成するステップと、基板厚さにわたる第２ドーパント元素の注入と、第１活性化温度より低い第２活性化温度での注入された第２ドーパント元素の熱活性化と、によってドープされた第２半導体領域を、基板の第２面に形成するステップと、を含む、太陽電池の製造方法。少なくとも第１ドーパント元素の熱活性化はレーザー照射によって実施され、照射パラメータは、最大で基板の第１のマイクロメートルの深さまで前記照射が吸収されるように選択される。</p> |
