| 摘要 |
<p>ゲート電極近傍の半導体層表面にキャリアが注入されることにより生じる電界効果トランジスタのチャネル狭窄を抑制することのできる半導体装置を提供する。半導体層に接続されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間の半導体層の表面に設けられたゲート電極と、ゲート電極近傍の半導体層の表面に絶縁層を介して設けられたフィールドプレート電極と、を有し、ゲート電極に入力される高周波信号を増幅してドレイン電極から出力する電界効果トランジスタと、ドレイン電極と基準電位ＧＮＤとの電位差を分圧し、フィールドプレート電極の各部位が互いに当電位となるようにバイアス電圧を印加する分圧回路と、を備え、フィードプレート電極に印加するバイアス電圧により、チャネル狭窄を抑制する。（図１）</p> |
