发明名称 Halbleitergehäuse mit einem Luftdrucksensor
摘要 Ein Halbleitergehäuse, das einen Luftdrucksensor aufweist, sowie Verfahren zum Ausbilden eines Halbleitergehäuses, das einen Luftdrucksensor aufweist, sind beschrieben. Zum Beispiel umfasst ein Halbleitergehäuse eine Vielzahl von Aufbauschichten. Eine Kavität ist in einer oder mehreren der Aufbauschichten angeordnet. Ein Luftdrucksensor ist in der Vielzahl von Aufbauschichten angeordnet und umfasst die Kavität und eine über der Kavität angeordnete Elektrode. Außerdem sind verschiedene Ansätze zum Herstellen eines Halbleitergehäuses beschrieben, das einen hermetisch versiegelten Bereich aufweist.
申请公布号 DE112013003193(T5) 申请公布日期 2015.03.19
申请号 DE20131103193T 申请日期 2013.06.10
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 LIN, KEVIN L.;MA, QING;EID, FERAS;SWAN, JOHANNA M.;TEH, WENG HONG
分类号 H01L25/07;H01L25/065 主分类号 H01L25/07
代理机构 代理人
主权项
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