摘要 |
<p>本発明は、光変調器のバイアス電圧を自動制御するにあたり、光パワーが最大になるよう制御をするのか、光パワーが最小になるよう制御をするのか、正しく選択する。本発明は、光変調部のヌル点に相当するバイアス電圧を有する信号を光変調部に出力するバイアス電源8、9と、バイアス電圧がドリフトを生じていないドリフト非発生時には、バイアス電圧がドリフトを生じているドリフト発生時より、QAM信号の強度が大きくなるか小さくなるかを判断して、ドリフト非発生時にはドリフト発生時よりQAM信号の強度が大きくなると判断したときには、QAM信号の強度を最大にするようにバイアス電圧を調整して、ドリフト非発生時にはドリフト発生時よりQAM信号の強度が小さくなると判断したときには、QAM信号の強度を最小にするようにバイアス電圧を調整する同期検波回路84、94と、を備えることを特徴とする光変調装置である。</p> |