Verfahren zum Fertigen von Tunneltransistoren mit abrupten Übergängen

摘要

Ein Verfahren zum Fertigen eines Tunnel-Feldeffekttransistors (TFET) beinhaltet ein Ausbilden eines von Seitenwand-Abstandselementen (320) umgebenen Dummy-Gate-Stapels (310) auf einem Substrat (200), das durch ein epitaktisch aufgewachsenes Source-Material (220) bedeckt ist; ein Ausbilden von dotierten Source-(530) und Drain-(520)Bereichen, gefolgt von einem Ausbilden eines Zwischenschichtdielektrikums (510), das die Seitenwand-Abstandselemente umgibt; ein Entfernen des Dummy-Gate-Stapels (310), wobei ein selbstausgerichteter Hohlraum (710) geätzt wird; ein epitaktisches Aufwachsen eines dünnen Kanalbereichs innerhalb des selbstausgerichteten Ätzhohlraums; ein konformes Abscheiden von Gate-Dielektrikum- und Metall-Gate-Materialien innerhalb des selbstausgerichteten Ätzhohlraums; und ein Planarisieren der oberen Fläche des Ersatz-Metall-Gate-Stapels, um die Rückstände der Gate-Dielektrikum- und Metall-Gate-Materialien zu entfernen.