| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine mikromechanische Sensorvorrichtung mit geätzter Rückseitenkaverne, eine entsprechende Ätzvorrichtung und eine entsprechende mikromechanische Sensorvorrichtung. Das Verfahren umfasst die Schritte: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1) eines ersten Leitungstyps (p) mit einer Vorderseite (VS) und einer Rückseite (RS); Bilden mindestens einer ersten Halbleiterschicht (2, 4; 4) eines zweiten Leitungstyps (n) auf oder in der Vorderseite (VS) des Halbleitersubstrats (1); Bilden einer Reihenschaltung von mehreren Photovoltaikzellen (PV1, PV2) als Spannungsquelle auf der Vorderseite (VS) des Halbleitersubstrats (1), deren erstes Ende (E1) am Halbleitersubstrat (1) und deren zweites Ende (E2) an der untersten Halbeiterschicht (2; 4) des zweiten Leitungstyps (n) elektrisch angeschlossen ist; Bilden einer Maske (RM) auf der Rückseite (RS) des Halbleitersubstrats (1) mit einer Maskenöffnung (OE) gegenüberliegend der untersten Halbeiterschicht (2; 4) des zweiten Leitungstyps (n) und einer Passivierungschicht (12) auf der Vorderseite (VS) des Halbleitersubstrats (1); und Durchführen eines anisotropen Nassätzprozesses unter Verwendung der Maske (RM), wobei die Vorderseite (V) des Halbleitersubstrats (1) zum Aktivieren der Spannungsquelle beleuchtet wird, so dass der anisotrope Nassätzprozess an der an der untersten Halbeiterschicht (2; 4) des zweiten Leitungstyps (n) stoppt, wodurch die Rückseitenkaverne (TR; TR‘) gebildet wird.</p> |
