| 摘要 |
<p>Reflexionsbeugungsgitter (10), umfassend–ein Substrat (1),–ein reflexionserhöhendes Interferenzschichtsystem (2), das abwechselnde niedrigbrechende dielektrische Schichten (21) mit einem Brechungsindex n1 und hochbrechende dielektrische Schichten (22) mit einem Brechungsindex n2 > n1 aufweist,–ein Gitter (3), umfassend eine Gitterstruktur (31), die in der obersten niedrigbrechenden Schicht (21a) auf einer vom Substrat (1) abgewandten Seite des Interferenzschichtsystems (2) ausgebildet ist, und eine Deckschicht (32), welche die Gitterstruktur (31) konform bedeckt, wobei die Deckschicht (32) einen Brechungsindex n3 > n1 aufweist.</p> |
