| 摘要 |
<p>Eine Schottky-Barrieren-Diode und ein Verfahren zum Herstellen der Diode werden bereitgestellt. Die Diode weist eine n–Typ-Epitaxieschicht (200), die auf einer ersten Oberfläche eines n+ Typ-Siliziumcarbid-Substrats (100) ausgebildet ist, und eine Mehrzahl von p+ Bereichen (300), die in der n–Typ-Epitaxieschicht (200) ausgebildet sind, auf. Eine n+ Typ-Epitaxieschicht (400) ist auf der n–Typ-Epitaxieschicht (200) ausgebildet, eine Schottky-Elektrode (500) ist auf der n+ Typ-Epitaxieschicht (400) ausgebildet, und eine ohmsche Elektrode (600) ist auf einer zweiten Oberfläche des n+ Typ-Siliziumcarbid-Substrats (100) ausgebildet. Die n+ Typ-Epitaxieschicht (400) weist eine Mehrzahl von Säulenteilen (410), welche auf der n–Typ-Epitaxieschicht (200) ausgebildet sind, und eine Mehrzahl von Öffnungen (420), welche zwischen den Säulenteilen (410) ausgebildet sind und die p+ Bereiche (300) freilegen, auf. Jeder der Säulenteile (410) weist im Wesentlichen geradlinige Teile (411), welche die n–Typ-Epitaxieschicht (200) kontaktieren, und im Wesentlichen krummlinige Teile (412), welche sich von dem im Wesentlichen geradlinigen Teilen (411) aus erstrecken, auf.</p> |
