| 发明名称 | 具有凹陷顶面的源极/漏极应力源 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有源极/漏极应力源的集成电路结构，包括：栅叠件，位于半导体衬底上方；以及硅锗区，延伸至半导体衬底内并且与栅叠件邻近。硅锗区具有顶面，并且顶面的中心部分从顶面的边缘部分凹陷从而形成凹槽。边缘部分位于中心部分的相对两侧。本发明还提供了一种形成该具有源极/漏极应力源的集成电路结构的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104425566A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201410315566.3 | 申请日期 | 2014.07.03 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李昆穆;郭紫微;宋学昌;李启弘;李资良 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种集成电路结构，包括：半导体衬底；第一栅叠件，位于所述半导体衬底上方；以及第一硅锗区，延伸至所述半导体衬底内并且与所述第一栅叠件邻近，其中，所述第一硅锗区包括第一顶面，并且所述第一顶面的中心部分从所述第一顶面的边缘部分凹陷从而形成凹槽，并且所述边缘部分位于所述中心部分的相对两侧。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||