一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成栅极介电层和栅极材料层；图案化所述栅极材料层和所述栅极介电层，以形成栅极；执行LDD注入；在所述半导体衬底上所述栅极的两侧形成侧墙结构；其中，所述LDD注入步骤包括第一离子注入步骤和第二离子注入步骤，先执行所述第一离子注入步骤再执行所述第二离子注入步骤或者先执行所述第二离子注入步骤再执行所述第一离子注入步骤，所述第一离子注入的离子剂包括硅或者锗；在执行LDD注入之后直接进行侧墙薄膜的热处理工艺。综上所述，本发明提出了一种新的半导体器件的制作方法，通过优化LDD离子注入以避免产生热载流子注入效应，在进行LDD离子注入的过程中，引入的Si注入或者Ge注入将产生较多的间隙，在进行磷注入的同时伴随着Si注入或者Ge注入，并且在形成侧墙薄膜之后增强了磷离子的瞬态增强扩散（TED）。减少了半导体器件中的横向电场，从而改善了热载流子注入效应。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上依次形成栅极介电层和栅极材料层； 图案化所述栅极材料层和所述栅极介电层，以形成栅极； 执行LDD注入； 在所述半导体衬底上所述栅极的两侧形成侧墙结构； 其中，所述LDD注入步骤包括第一离子注入步骤和第二离子注入步骤，先执行所述第一离子注入步骤再执行所述第二离子注入步骤或者先执行所述第二离子注入步骤再执行所述第一离子注入步骤，所述第一离子注入的离子剂包括硅或者锗； 在执行LDD注入之后直接进行侧墙薄膜的热处理工艺。