| 发明名称 | 具有有机光电二极管的图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了形成具有有机光电二极管的图像传感器的实施例。在有机光电二极管中形成沟槽以增大PN结的界面面积，这改进了光电二极管的量子效率(QE)。以液体形式施加有机P型材料以填充沟槽。可以使用具有不同的功函值和厚度的P型材料的混合物以满足用于光电二极管的期望功函值。 | ||
| 申请公布号 | CN104425719A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201410336489.X | 申请日期 | 2014.07.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 梁晋玮;林杏莲;蔡正原;蔡嘉雄 |
| 分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L27/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种光电二极管，包括：第一电极层；N型层，其中，多个沟槽形成在所述N型层中；有机P型层，位于所述N型层上方，其中，所述有机P型层填充所述N型层中的所述沟槽；以及第二电极层，位于所述有机P型层上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||