RFLDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种RFLDMOS器件，在多晶硅栅的顶部表面形成的第一金属硅化物层的厚度大于在源漏区表面形成的第二金属硅化物层的厚度，第二金属硅化物层形成在源区和漏区的接触孔底部。本发明还公开了一种RFLDMOS器件的制造方法。本发明通过第一金属硅化层的加厚能降低栅极的电阻，容易保证栅极低电阻；能通过降低第二金属硅化物层的厚度来降低第二金属硅化物层对源区和漏区的第二导电类型重掺杂区的消耗，使RFLDMOS器件的反向击穿电压稳定，从而能整体提高器件的击穿电压、提高器件的可靠性。本发明不需要额外采用光刻版来定义第二金属硅化物层的形成区域，能减少一个光刻工艺步骤，降低工艺成本。

主权项

一种RFLDMOS器件，其特征在于，包括：第一导电类型重掺杂的硅衬底；第一导电类型掺杂的硅外延层，该硅外延层形成于所述硅衬底表面上；漂移区，由形成于所述硅外延层的选定区域中的第二导电类型离子注入区组成，所述漂移区的顶部表面和所述硅外延层的顶部表面相平、所述漂移区的深度小于所述硅外延层的厚度；沟道区，由形成于所述硅外延层的选定区域中的第一导电类型离子注入区组成，所述沟道区的顶部表面和所述硅外延层的顶部表面相平、所述沟道区的深度小于所述硅外延层的厚度；所述沟道区和所述漂移区在横向上直接接触，或者所述沟道区和所述漂移区在横向上通过所述硅外延层相连接；多晶硅栅，形成于所述硅外延层上方，所述多晶硅栅和所述硅外延层间隔离有栅介质层，所述多晶硅栅覆盖部分所述沟道区并延伸到所述漂移区上方，被所述多晶硅栅覆盖的所述沟道区表面用于形成沟道；源区，由形成于所述沟道区中的第二导电类型重掺杂区组成，所述源区和所述多晶硅栅的第一侧自对准；漏区，由形成于所述漂移区中的第二导电类型重掺杂区组成，所述漏区和所述多晶硅栅的第二侧相隔一横向距离；沟道引出区，由形成于所述沟道区中的第一导电类型重掺杂区组成，所述沟道引出区和所述源区接触；在所述多晶硅栅的顶部表面形成有第一金属硅化物层，通过增加所述第一金属硅化物层的厚度降低所述多晶硅栅的寄生电阻；层间膜，所述层间膜覆盖形成有所述第一金属硅化物层的所述多晶硅栅，以及所述层间膜覆盖所述多晶硅栅外部的形成有所述源区、所述漏区和所述沟道引出区的所述硅外延层表面；在所述源区和所述漏区的顶部分别形成有接触孔，所述接触孔穿过所述层间膜和对应的所述源区或所述漏区接触，在所述接触孔底部的所述源区或所述漏区表面增加了一次第二导电类型离子注入且在该第二导电类型离子注入区表面形成有第二金属硅化物层，所述第二金属硅化物层和其底部的第二导电类型离子注入区形成欧姆接触；所述源区顶部的所述接触孔和所述第二金属硅化物层还横向延伸到所述沟道引出区表面并和所述沟道引出区相接触；下沉通孔，所述下沉通孔穿过所述层间膜、所述沟道引出区、所述沟道区和所述硅外延层，所述下沉通孔的底部进入到所述硅衬底中，所述下沉通孔用于实现所述源区和所述硅衬底的连接，所述下沉通孔的位于所述层间膜底部的硅表面形成有第三金属硅化物层，该第三金属硅化物层和其底部的硅形成欧姆接触；所述第一金属硅化物层、所述第二金属硅化物层和所述第三金属硅化物层都由形成有硅表面的钛或氮化钛经快速热退火后形成，所述第一金属硅化物层的厚度大于所述第二金属硅化物层的厚度，所述第二金属硅化物层和所述第三金属硅化物层的厚度相同，通过降低所述第二金属硅化物层的厚度来降低所述第二金属硅化物层对所述源区和所述漏区的第二导电类型重掺杂区的消耗，使RFLDMOS器件的反向击穿电压稳定。