发明名称 互连结构及其形成方法
摘要 一种互连结构及其形成方法,其中互连结构包括:基底,所述基底中形成有通孔;所述通孔内形成有Cu插塞,所述Cu插塞在所述通孔开口边缘形成了凹陷;第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层,所述第一扩散阻挡层覆盖所述凹陷,所述第二扩散阻挡层覆盖所述基底、Cu插塞和第一扩散阻挡层;位于所述第二扩散阻挡层上的互连线。本发明提供的互连结构可以防止Cu插塞中的Cu扩散进入互连线中。
申请公布号 CN104425362A 申请公布日期 2015.03.18
申请号 CN201310401313.3 申请日期 2013.09.05
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 沈哲敏;李广宁
分类号 H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种互连结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底;在所述基底中形成通孔;在所述通孔内形成Cu插塞,所述Cu插塞在所述通孔开口边缘形成了凹陷;形成Cu插塞后,形成第一扩散阻挡层,所述第一扩散阻挡层覆盖所述凹陷;在所述基底、Cu插塞和第一扩散阻挡层上表面形成第二扩散阻挡层;在所述第二扩散阻挡层上形成互连线;或者,形成Cu插塞后,在所述基底和Cu插塞上形成第二扩散阻挡层,所述第二扩散阻挡层暴露出所述凹陷;形成第一扩散阻挡层,所述第一扩散阻挡层覆盖所述凹陷;在所述第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层上形成互连线。
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