发明名称 |
互连结构及其形成方法 |
摘要 |
一种互连结构及其形成方法,其中互连结构包括:基底,所述基底中形成有通孔;所述通孔内形成有Cu插塞,所述Cu插塞在所述通孔开口边缘形成了凹陷;第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层,所述第一扩散阻挡层覆盖所述凹陷,所述第二扩散阻挡层覆盖所述基底、Cu插塞和第一扩散阻挡层;位于所述第二扩散阻挡层上的互连线。本发明提供的互连结构可以防止Cu插塞中的Cu扩散进入互连线中。 |
申请公布号 |
CN104425362A |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201310401313.3 |
申请日期 |
2013.09.05 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
沈哲敏;李广宁 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种互连结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底;在所述基底中形成通孔;在所述通孔内形成Cu插塞,所述Cu插塞在所述通孔开口边缘形成了凹陷;形成Cu插塞后,形成第一扩散阻挡层,所述第一扩散阻挡层覆盖所述凹陷;在所述基底、Cu插塞和第一扩散阻挡层上表面形成第二扩散阻挡层;在所述第二扩散阻挡层上形成互连线;或者,形成Cu插塞后,在所述基底和Cu插塞上形成第二扩散阻挡层,所述第二扩散阻挡层暴露出所述凹陷;形成第一扩散阻挡层,所述第一扩散阻挡层覆盖所述凹陷;在所述第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层上形成互连线。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |